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Infineon 10A BSM10GT120DN2 IGBT Module, For UPS, 1200V At Rs 2100 In

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Descrizione

180 Egig Infineon 10A BSM10GT120DN2 IGBT Module, For UPS, 1200V At Rs 2100 In Igbt Infineon Bsm150gt120dn2 Germany Per ulteriori dettagli vedi l'inserzione. Igbt Pim Modules at Best Price in Shanghai, Shanghai Rongtech Industry (shanghai Caratteristiche tecniche ; RoHS:: Dettagli ; Prodotto: IGBT Silicon Modules ; Configurazione: Half Bridge ; Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 1.2 kV Country/Region of Manufacture: Germany, Type: Power Module, MPN: BSM150GT120DN2, Brand: Infineon, UPC: Does not apply Nuovo: Oggetto nuovo, non usato, non aperto, non danneggiato, nella confezione originale (ove la confezione sia prevista). INFINEON Bsm10Gt120Dn2 Igbt Module, 1200 at Rs 20000 in Mumbai | ID...

Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

  • EAN6644902773729

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2026-02-12 | vdnh4h7