SI2300DS-T1-GE3 VISHAY, MOSFET Di Potenza, Canale N, 30 V - Farnell
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Descrizione
La confezione deve essere la stessa che si può trovare in negozio, a meno che l'oggetto non sia stato confezionato dal produttore in una confezione anonima, come una busta di plastica o una scatola senza stampa. SI2300DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors | Italia Sae 2200 SI2300DS-T1-GE3 VISHAY, MOSFET Di Potenza, Canale N, 30 V - Farnell Dischi Sh 300 Polarità transistor: N-Channel ; Numero di canali: 1 Channel ; Vds - Tensione di rottura drain-source: 30 V ; Id - corrente di drain continua: 3.6 A Nuovo: Oggetto nuovo, non usato, non aperto, non danneggiato, nella confezione originale (ove la confezione sia prevista).Caratteristiche e scheda tecnica
Caratteristiche principali
- EAN2892519756879
Recensioni
2026-02-12 | yis77ex















